日本a√视频在线,久久青青亚洲国产,亚洲一区欧美二区,免费g片在线观看网站

        <style id="k3y6c"><u id="k3y6c"></u></style>
        

        <s id="k3y6c"></s>
        <mark id="k3y6c"></mark>
          

          <mark id="k3y6c"></mark>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          dram 文章
                  最新資訊  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數據中心對低功耗 DRAM 的需求
          
                                                            
            
                    	
          • 2025年 10 月 23 日，愛達荷州博伊西市 — 在當今時代，人工智能（AI）實現了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個數據中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎設施轉型，以支持可持續(xù)增長。隨著內存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用，低功耗內存解決方案已成為這一轉型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內存在 
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        美光  SOCAMM2  DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關鍵技術
          
                                                            
            
                    	
          • 在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產品附加價值，也導致DDR4與DDR5大缺貨，同時帶旺整個存儲器產業(yè)。謝金河在臉書發(fā)文指出，韓國是今年全亞洲表現最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點一路漲到3617.86點，漲幅高達58.35%。 這波
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        DRAM  SK海力士                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          內存模組廠十一長假大蓋牌！ 消費性DRAM暫停報價
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM缺貨潮加速顯現，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內現貨價格持續(xù)飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調漲約8%。 盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組廠觀察到市場價格漲勢兇猛，包括臺系業(yè)者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報價，等待長假結束后更明確的漲價行情。 據悉，此波暫停報價儼然已形成了連鎖效應，威剛率先從上周實施暫停報價，以缺貨最為嚴重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態(tài)硬盤（SSD）等產品仍維持繼
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        內存模組  DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          因涉嫌向中國泄露DRAM技術被捕的三星、海力士前高管獲保釋
          
                                                            
            
                    	
          • 據悉，三星電子和海力士半導體（現SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業(yè)技術法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權準予保釋。此外，據報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        DRAM  三星  海力士                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準AI和HBM市場
          
                                                            
            
                    	
          • 各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        存儲器  1c DRAM  AI  HBM  三星  SK海力士  美光                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
           SK 海力士據報道與客戶協(xié)商價格調整，跟隨美光和三星
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業(yè)消息來源還表
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND  三星  AI  海力士                           
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          存儲器行情來得又急又快 DRAM報價10月看漲雙位數
          
                                                            
            
                    	
          • 全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務商（CSP）急單帶動下，正式進入新一輪長線上行。 隨著業(yè)界開始惜售，業(yè)者預期，10月DDR4與DDR5合約價及現貨價，皆將出現雙位數漲幅。產業(yè)界大老指出，這一波內存行情漲得又快又急，可望一路延續(xù)到2026年底。根據業(yè)界對10月漲幅最新預估，DDR5合約價將上漲10~15%，現貨價漲15~25%; DDR4合約價將上漲逾10%，現貨價漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現貨價漲幅還有進一步拉升的可能。業(yè)者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應用與儲存需求強勁，推升NAN
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          國產廠商切入下一代存儲技術：3D DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發(fā)式增長，全球對算力的需求正以指數級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現，全球的存儲廠商也普遍將 3D 
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        3D DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一
          
                                                            
            
                    	
          • 據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年第二季度，全球DRAM產業(yè)營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規(guī)模的擴大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數產品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現相對平穩(wěn)，其售價和位元出貨量均
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        DRAM  SK海力士                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          內存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應鏈的依賴
          
                                                            
            
                    	
          • 根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK 
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        內存  NAND  DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          實現120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
          
                                                            
            
                    	
          • 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        3D DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          2025年第二季度全球DRAM市場分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在AI需求爆發(fā)與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現量價齊升。根據CFMS最新數據，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        DRAM  SK海力士  三星  美光  HBM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術路線圖
          
                                                            
            
                    	
          • SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術官 Cha 在演講中解釋說，通過當前的技術平臺擴展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結構、材料和組件方面進行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術應用于10納米級或以下的技術。4F2 VG平臺是下一代
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        SK海力士  IEEE  VLSI 2025  DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          中國研究團隊在半導體領域取得新突破，基于 DRAM 原理
          
                                                            
            
                    	
          • 目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環(huán)境數據，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經元行為的神經形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯(lián)合研究團隊提出了一種
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        DRAM  閃存  半導體                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          據報道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復蘇
          
                                                            
            
                    	
          • 三星電子因與英偉達的 HBM3E 驗證問題而面臨困境，據韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報告中稱，其 DRAM 市場份額按價值計算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個百分點。值得注意的是，《韓民族日報》報道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達到 48%
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        三星  DRAM  存儲                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共1871條
	1/125															1																2																3																4																5																6																7																8																9																10																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																								»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          dram介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 
 
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473